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西門子交流變頻器HV-IGBT模塊6SY7000系列
2023-12-25
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4605
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小， 西門子IGBT模塊6SY7000-0AD04
2023-12-12
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3597
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